IXTA2N80P
IXTU2N80P
IXTP2N80P
IXTY2N80P
TO-251 (IXTU) Outline
1. Gate
2. Drain
TO-252 (IXTY) Outline
3. Source
Pins: 1 - Gate
3 - Source
2,4 - Drain
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min.
Max.
A
2.19
2.38
0.086
0.094
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A1
A2
0.89
0
1.14
0.13
0.035
0
0.045
0.005
A
A1
b
b1
b2
c
c1
D
E
2.19
0.89
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
6.35
2.38
1.14
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
6.73
.086
0.35
.025
.030
.205
.018
.018
.235
.250
.094
.045
.035
.045
.215
.023
.023
.245
.265
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
e
e1
2.28
4.57
BSC
BSC
.090
.180
BSC
BSC
e
e1
2.28 BSC
4.57 BSC
0.090 BSC
0.180 BSC
H
L
17.02
8.89
17.78
9.65
.670
.350
.700
.380
H
L
9.40 10.42
0.51 1.02
0.370
0.020
0.410
0.040
L1
L2
1.91
0.89
2.28
1.27
.075
.035
.090
.050
L1
L2
0.64
0.89
1.02
1.27
0.025
0.035
0.040
0.050
L3
2.54
2.92
0.100
0.115
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料
IXTV03N400S MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220
IXTV110N25TS MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD
IXTV18N60PS MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
IXTV200N10T MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
IXTV22N50PS MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD
IXTV22N60PS MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD
IXTV230N085TS MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD
IXTV250N075T MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220
相关代理商/技术参数
IXTU44N10T 功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTU50N085T 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTU55N075T 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTU5N50P 功能描述:MOSFET 5 Amps 500V 1.4 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTU64N055T 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV02N250S 功能描述:MOSFET N-Chan Pwr Mosfet 2500V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV03N400S 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV102N20T 功能描述:MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube